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    • 专利摘要:
    施體基板可包含基底基板、光熱轉換層、轉印層及肋條結構。光熱轉換層可位於基底基板上。轉印層可位於光熱轉換層上。肋條結構可位於轉印層上。肋條結構可包含相互間隔之複數個管體。於雷射引發之熱成像製程中，包含肋條結構之施體基板可簡易地自顯示基板移除而不受損害，因此規則地形成有機層圖樣於顯示基板上。
    公开号:TW201306346A
    申请号:TW101117596
    申请日:2012-05-17
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Jin-Won Sun；Heung-Yeol Na
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    施體基板、製造施體基板之方法及使用施體基板製造有機發光顯示裝置之方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案基於35 U.S.C. § 119，主張於2011年7月19日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案之優先權，申請案號為10-2011-0071380，其全部揭露之內容併入此處作為參考。
    本發明之例示性實施例係有關於施體基板、製造施體基板之方法及利用施體基板製造有機發光顯示裝置之方法。
    通常，有機發光顯示裝置可包含不同有機層，例如有機發光層、電洞注入層、電子傳輸層等。於形成傳統有機發光顯示裝置之有機層之製程中，噴墨印刷製程可使用有限之材料以形成發光層除外之有機層，且為此，額外之結構可形成於基板上。當利用沉積製程以形成有機層，因為沉積製程可能使用微尺寸之金屬遮罩，使用沉積製程於具有相對大之區域之有機發光顯示裝置可能係為困難。
    近來，已發展雷射引發之熱成像製程(laser induced thermal imaging process)，以形成有機發光顯示裝置之有機層。於傳統之雷射引發之熱成像製程中，雷射照射裝置之雷射光束之能量可轉換為熱能，且施體基板之有機層可藉由熱能部分轉印至有機發光顯示裝置之顯示基板上，因此形成有機層圖樣。為了藉由雷射引發之熱成像製程形成有機層圖樣，可使用包含轉印層、雷射照射裝置及/或顯示基板之施體基板。舉例而言，施體基板及顯示基板可相互接著，且可使用雷射引發之熱成像製程以自轉印層形成有機層圖樣於顯示基板上。然而，於傳統之雷射引發之熱成像製程中，當施體基板於轉印層藉由利用熱能之轉印製程後自顯示基板移除，於顯示基板上之有機層圖樣可能受損害。舉例而言，當施體基板自顯示基板移除，於顯示基板上之有機層圖樣可能部分或全部脫落，導致可能發生有機發光顯示裝置之像素故障。
    本發明之例示性實施例係針對包含肋條(rib)結構之施體基板，施體基板係可自顯示基板移除而不產生像素故障。
    本發明之例示性實施例係針對製造包含肋條結構之施體基板之方法，施體基板係可自顯示基板移除而不產生像素故障。
    本發明之例示性實施例係針對製造藉由使用包含肋條結構之施體基板，可預防或減少像素故障之有機發光顯示裝置之方法。
    根據例示性實施例，係提供包含基底基板、光熱轉換層、轉印層以及肋條結構之施體基板。光熱轉換層可位於基底基板上。轉印層可位於光熱轉換層上。肋條結構可位於該轉印層上。肋條結構可包含相互間隔之複數個管體。
    於例示性實施例中，管體可包含複數個開口於管體之上側部分或側邊部分之至少其一上。
    於例示性實施例中，肋條結構可更包含連接至管體之終端部分之至少一連接管體。
    於例示性實施例中，該至少一連接管體可包含與管體之材料相同之材料。
    於例示性實施例中，該至少一連接管體可與管體整體形成。
    於例示性實施例中，該至少一連接管體可包含第一連接管體及第二連接管體。第一連接管體可連接至管體之第一終端部分。第二連接管體可連接至管體之第二終端部分。
    於例示性實施例中，肋條結構可包含複數個第一管體及複數個第二管體。第一管體可於第一方向延伸。第二管體可於第二方向延伸。
    於例示性實施例中，第一管體及第二管體可以方陣形狀排列。
    於例示性實施例中，第一管體可包含複數個第一開口於第一管體之上側部分或側邊部分之至少其一上。第二管體可包含具有複數個第二開口於第二管體之上側部分或側邊部分之至少其一上。
    於例示性實施例中，於轉印層之中央部份之第一管體之至少其一可包含複數個第一開口於第一管體之上側部分或側邊部分之至少其一上。轉印層之中央部份之第二管體之至少其一可包含複數個第二開口於第二管體之上側部分或側邊部分之至少其一上。
    於例示性實施例中，肋條結構可更包含於第一管體或第二管體之至少其一內之分隔壁。
    於例示性實施例中，管體可包含矽、聚氨酯(urethane)或鋁。
    於例示性實施例中，管體之高度與寬度之比率可於約1.0：0.5至約1.0：1.0之間。
    根據例示性實施例，係提供製造施體基板之方法。於本方法中，光熱轉換層可形成於基底基板上。轉印層可形成於光熱轉換層上。包含相互間隔之複數個管體之肋條結構可形成於轉印層上。
    於例示性實施例中，形成該肋條結構可更包含形成複數個開口於管體之上側部分或側邊部分之至少其一。
    於例示性實施例中，其中形成肋條結構可更包含形成連接至管體之終端部分之至少一連接管體。
    於例示性實施例中，形成肋條結構可更包含形成第一溝槽於管體之複數個第一管體上，形成第二溝槽於管體之複數個第二管體上；以及藉由對準第一溝槽與第二溝槽以組合第一管體與第二管體。
    於例示性實施例中，形成肋條結構可更包含沿著第一方向排列管體之複數個第一管體於轉印層上，以及沿著第二方向排列管體之複數個第二管體於轉印層上。第二管體可與第一管體交錯。
    於例示性實施例中，形成該肋條結構可更包含形成分隔壁於複數個管體之第一管體或第二管體之至少其一內。
    根據例示性實施例，提供製造有機發光顯示裝置之方法。於本方法中，肋條結構可形成於基底基板上以製造施體基板。肋條結構可包含複數個管體。基底基板可包含光熱轉換層及轉印層。施體基板可貼合至顯示基板上。雷射光束可照射於施體基板上，使自轉印層形成有機層圖樣於顯示基板上。可透過肋條結構將介於該顯示基板與該施體基板之間之氣體排出，以自顯示基板移除施體基板。
    於例示性實施例中，形成肋條結構可包含排列複數個管體於轉印層上，管體相互間隔，以及形成複數個開口於管體之上側部分或側邊部分之至少其一。
    於例示性實施例中，管體可以一距離相互間隔，且該距離可約與顯示基板之像素區域之寬度之整數倍相等。
    於例示性實施例中，形成肋條結構可更包含形成連接至管體之終端部分之至少一連接管體。
    於例示性實施例中，形成肋條結構可更包含排列複數個第一管體於轉印層上，第一管體以第一距離相互間隔，以及排列複數個第二管體於轉印層上，第二管體以第二距相互間隔離。
    於例示性實施例中，第一距離可約與顯示基板之像素區域之水平寬度或垂直寬度之至少其一之整數倍相等，且第二距離可約與顯示基板之像素區域之水平寬度或垂直寬度之至少其一之整數倍相等。
    根據例示性實施例，當施體基板自顯示基板移除，可利用包含具有複數個管體之肋條結構之施體基板。因此，施體基板可簡易地移除而不對顯示基板造成損害。因此，可預防或減少包含顯示基板之有機發光顯示裝置之像素故障。
    參考以下所附之圖示，其展示例示性實施例，將更完整地說明本發明之例示性實施例。然而，本發明可包含於不同形式，且不應理解為限於在此提出之例示性實施例。更確切地，該些例示性實施例係提供以使得說明書詳細且完整，且完全表達本領域之該技巧之發明之範疇。於圖示中，為清楚說明，層與區域之大小與相對大小可放大。
    將理解的是，當元件或層被描述為於其他元件或層之”上”(on)、”連接至”(connected to)或”耦接至”(coupled to)其他元件或層，其可直接地位於其他元件或層上、連接至或耦接至其他元件或層，或者可有一或多個中介元件或層存在於其中。當元件或層被描述為直接地於其他元件或層”上”(directly on)、”直接地連接至”(directly connected to)或”直接地耦接至”(directly coupled to)其他元件或層，可不存在中介元件或層。整篇說明中，相同的參考符號描述相同的元件。在此，術語”及/或”包含一或多個所列出之關連項目之任何或所有組合。
    將理解的是，雖然第一、第二、第三、第四等等術語係使用於此以描述不同之元件、組成、區域、層及/或部分，該些元件、組成、區域、層及/或部分不應被限制於該些術語。該些術語係僅用以區別一元件、組成、區域、層或部分與另一元件、組成、區域、層或部分。因此，以下討論之第一元件、組成、區域、層或部分可被稱為第二元件、組成、區域、層或部分而不脫離本發明之精神。
    空間相關術語，例如”於其下”(beneath, below or lower)、”於其上”(above or upper)或其相似物，可為了描述之簡便用於此以描述一元件或特徵與如圖所示之另一元件或特徵之關係。將理解的是，空間相關術語除了圖式所描述之方向，係包含使用或操作之裝置之不同方向。舉例而言，若於圖式中之裝置旋轉，描述為在其他元件或特徵下(below or beneath)將轉向為在其他元件或特徵之上(above)。因此，舉例之術語”於其下”(below)可包含上與下之方向。此外，該裝置係可轉向不同之方向，且於此之空間相關描述語係相應地解釋。
    用於此之術語係僅為了描述特定之例示性實施例，不應用以限制本發明。在此，單數形式”一”(a or an)及”該”(the)應也包含複數形式，除非文中清楚地指出。更將理解的是，術語”包含”(comprises or comprising)等詞彙係旨在表示所述之特徵、數目、步驟、作動、元件及/或部分，但不因此排除一或多個其他特徵、數目、步驟、作動、元件、部分及/或群組之存在或增設。
    在此，參考為理想之例示性實施例(及中間結構)之圖解之剖視圖，來描述例示性實施例。就此點而論，可預期例如製造技術及/或容錯度(tolerances)而導致圖式本身之形狀之差異。因此，例示性實施例不應理解為限於在此所示之特定形狀或區域，而應包含因製造導致的形狀誤差。舉例而言，以矩形繪製之佈植區域(implanted region)，將典型地具有圓形或曲線特徵及/或在其邊緣為梯度之佈植濃度而非由佈植區域至非佈植區域之二元變化。相同地，由佈植形成之埋置區域(buried region)可能透過佈植之執行，導致在埋置區域與表面之間的區域之佈植。因此，圖式中所示之區域係自然地解釋，且其形狀不應解釋為裝置之區域之實際形狀，且不應限制本發明之範疇。
    除非另有定義，所有於此使用之術語具有相同的意義，如同本發明所屬領域具有通常知識者的通常理解。更將理解的是，除非明顯地於此定義，所有定義於通常使用之字典中之術語，應理解為具有符合相關技術之文中之相同意義且將不解釋為具有理想或過度正式之意義。
    第1圖係為說明根據例示性實施例之施體基板之透視圖。
    參閱第1圖，根據例示性實施例之施體基板100可包含基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140、肋條結構150等等。
    基底基板110可包含具有設定或預設之可撓性及設定或預設之強度之材料。舉例而言，基底基板110可包含透明樹脂例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(polyethylene terephthalate-based resin)、聚酯樹脂(polyester-based resin)、聚丙烯樹脂(polyacryl-based resin)、聚環氧樹脂(polyepoxy-based resin)、聚乙烯樹脂(polyethylene-based resin)、聚苯乙烯樹脂(polystyrene-based resin)等等。當基底基板110具有相對小之厚度，施體基板100可能無法輕易處理或加工。當基底基板110具有相對大之厚度，施體基板100之重量可能增加，使得攜帶施體基板100可能困難。因此，基底基板110可具有介於約10微米(μm)與500微米(μm)之間之厚度。基底基板110可支撐施體基板100之元件。
    光熱轉換層120可設置於基底基板110上。光熱轉換層120可包含可轉換由雷射照射裝置照射之雷射光束之能量為熱能之光吸收性材料。於例示性實施例中，光熱轉換層120可包含具有鋁(Al)、鉬(Mo)、其氧化物及/或其硫化物之含金屬層。在此例中，含金屬層可具有相對小之介於約10奈米(nm)與500奈米(nm)之間之厚度。於一些例示性實施例中，光熱轉換層120可包含具有炭黑、石墨及/或紅外線染料之聚合物之含有機層。在此例中，含有機層可具有相對大之介於約100奈米(nm)與10微米(μm)之間之厚度。介於轉印層140與光熱轉換層120之間之接著力可藉由於光熱轉換層120上照射之雷射光束提供之熱能改變，使得轉印層140可將設定或預設之圖樣轉印至有機發光顯示裝置之顯示基板上。
    緩衝層130可設置於介於光熱轉換層120與轉印層140之間。緩衝層130可包含有機材料。緩衝層130可預防轉印層140之有機材料受損，且可控制介於轉印層140與光熱轉換層120之間之接著力。於一些例示性實施例中，施體基板100可根據轉印層140及/或光熱轉換層120之材料，不包含緩衝層130。
    轉印層140可設置於緩衝層130上。於利用施體基板100製造有機發光顯示裝置時，轉印層140可對應於有機發光顯示裝置之顯示基板上之有機發光層。亦即，有機發光層由施體基板100之轉印層140形成。於一些例示性實施例中，轉印層140可更包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及/或電子注入層(EIL)。包含複數個有機層之有機發光結構可由具有多層結構之轉印層140形成於顯示基板上。
    參閱第1圖，肋條結構150可設置於轉印層140上。肋條結構150可包含複數個第一管體160及複數個第二管體170。在此例中，第一管體160與第二管體170可以一設定或預設距離相互間隔於轉印層140上。
    於例示性實施例中，肋條結構150可包含複數個第一管體160及複數個第二管體170，其可相互以流體連通。在此例中，第一管體160及第二管體170可實質上以矩陣形狀或實質上以篩形排列。
    第一管體160可於第一方向延伸以實質上相互平行於轉印層140上。第一管體160可以實質上對應至有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度之第一距離相互間隔。舉例而言，第一管體160可以實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度相等之第一距離，或實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度之整數倍數相等之第一距離相互間隔。
    第二管體170可於實質上正交於第一方向之第二方向延伸。第二管體170也可相互實質上平行地排列於轉印層140上。第二管體170可以實質上對應至有機發光顯示裝置之像素區域之縱向寬度之第二距離相互間隔。舉例而言，第二管體170可相互間隔實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之縱向寬度相等，或實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之縱向寬度之整數倍數相等之第二距離。因此，肋條結構150之第一管體160與第二管體170可實質上相互正交地交錯於轉印層140上。由第一管體160與第二管體170之交錯所定義之轉印層140之區域可實質上對應至有機發光顯示裝置之像素區域。舉例而言，由第一管體160與第二管體170之交錯所定義之轉印層140之區域可具有實質上與像素區域相等，或實質上與像素區域之整數倍數相等之區域。
    於一些例示性實施例中，第一管體160可以實質上與像素區域之縱向寬度相等之第一距離相互間隔，或可以實質上與像素區域之縱向寬度之整數倍數相等之第一距離相互間隔。在此例中，第二管體170可以實質上與像素區域之水平寬度相等之第二距離相互間隔，或可以實質上與像素區域之水平寬度之整數倍數相等之第二距離相互間隔。
    如第1圖所示，第一管體160可包含複數個第一開口180，且第二管體170可包含複數個第二開口181。第一開口180可位於第一管體160之上側部分及側邊部分，且第二開口181可位於第二管體170之上側部分及側邊部分。舉例而言，第一開口180可沿著第一方向排列，且第二開口181可沿著第二方向排列。亦即，每一第一開口180與每一第二開口181沿著實質上相互正交之方向排列。第一開口180與第二開口181可規律地相互間隔設定或預設之距離，或可不規律地相互間隔於第一管體160及第二管體170上。
    於例示性實施例中，每一第一管體160及第二管體170可具有多邊形切面。舉例而言，第一管體160及第二管體170可具有不同切面形狀，例如實質上之矩形、實質上之正方形及/或實質上之梯形。於一些例示性實施例中，每一第一管體160及第二管體170可具有圓切面。舉例而言，第一管體160及第二管體170可具有不同圓切面形狀，例如實質上之半圓形、實質上之半橢圓形及/或實質上朝上之圓頂形。
    於例示性實施例中，每一第一管體160及第二管體170可具有實質上小於介於有機發光顯示裝置之相鄰像素區域之間之空間或距離之寬度。舉例而言，每一第一管體160及第二管體170可具有實質上約小於10毫米(mm)之寬度。當第一管體160及第二管體170之高度相對小時，第一管體160及第二管體170可能無法成為氣體通道，且第一管體160及第二管體170可能由於第一160管體及第二管體170之相對小之表面區域而不包含第一開口180及第二開口181。當第一管體160及第二管體170之高度相對大時，有機發光顯示裝置之顯示基板與施體基板100之轉印層140可能於以下將描述之貼合製程不接觸。因此，第一管體160及第二管體170可根據第一開口180及第二開口181之組成及顯示基板與轉印層140之接觸具有設定或預設之高度。舉例而言，第一管體160及第二管體170可具有約介於5毫米(mm)至10毫米(mm)之間之高度。在此例中，第一管體160及第二管體170之寬度與高度之比率可介於約1.0：0.5至約1.0：1.0之間。然而，第一管體160及第二管體170之寬度與高度可根據像素區域之面積及介於相鄰像素區域間之空間變動。
    於例示性實施例中，每一第一管體160及第二管體170可包含具有設定或預設加工性及設定或預設彈性之材料。舉例而言，第一管體160及第二管體170可包含矽、聚氨酯、鋁等等。當第一管體160及第二管體170不具有足夠的彈性，以下將描述之施加於貼合製程之壓力可能損害第一管體160及第二管體170。
    於例示性實施例中，施體基板100可包含具有複數個第一管體160及複數個第二管體170之肋條結構150。條結構150於雷射引發之熱成像製程中，可設置於介於顯示基板與轉印層140之間，以形成有機層圖樣於顯示基板上。有機層圖樣可設置於顯示基板上。而且，當施體基板100由顯示基板移除，空氣或惰性氣體可透過第一管體160及第二管體170之第一開口180及第二開口181於顯示基板與施體基板100之間釋放。相應地，施體基板100可輕易地由顯示基板移除而不損害於顯示基板上之有機層圖樣。
    第2圖及第3圖係為說明根據例示性實施例之製造施體基板之方法之透視圖。第2圖及第3圖所示之方法可提供施體基板，其結構實質上相等或實質上相似於參考第1圖所描述之施體基板之結構。
    參閱第2圖，可提供包含透明樹脂之基底基板110，且光熱轉換層120可形成於基底基板110上。於例示性實施例中，形成光熱轉換層120可包含形成含金屬層於基底基板110上。在此例中，光熱轉換層120可利用鋁、鉬、其氧化物及/或其硫化物之含金屬層形成。於一些例示性實施例中，形成光熱轉換層120可包含形成含有機層於基底基板110上。在此例中，含有機層可利用包含炭黑、石墨及/或紅外線染料之聚合物形成。
    當光熱轉換層120包含含金屬層，含金屬層可藉由濺鍍製程、蒸鍍製程、電子束蒸鍍製程等等形成。包含含金屬層之光熱轉換層120可以相對小之厚度形成。舉例而言，光熱轉換層120可以介於約10奈米(nm)與500奈米(nm)之間之厚度形成於基底基板110上。當光熱轉換層120包含含有機層，含有機層可藉由旋轉塗佈製程、刮刀塗佈製程、擠製製程等等形成。在此例中，包含含有機層之光熱轉換層120可以相對大之厚度形成。舉例而言，光熱轉換層120可以介於約100奈米(nm)與10微米(μm)之間之厚度形成於基底基板110上。
    緩衝層130可形成於光熱轉換層120上。形成緩衝層130可包含藉由擠製製程、旋轉塗佈製程及/或刮刀塗佈製程設置有機材料於光熱轉換層120上。於一些例示性實施例中，可省略形成介於光熱轉換層120與轉印層140之間之緩衝層130。
    轉印層140可形成於緩衝層130上。轉印層140可利用高分子量材料或低分子量材料形成。轉印層140可根據有機發光顯示裝置之像素區域利用不同有機材料形成。轉印層140可藉由擠製製程、旋轉塗佈製程、刮刀塗佈製程、蒸鍍製程、化學氣相沈積製程等等形成。舉例而言，轉印層140可以介於10奈米(nm)與5000奈米(nm)之間之厚度形成於緩衝層130上。於例示性實施例中，轉印層140可對應至有機發光顯示裝置之有機發光層。於一些例示性實施例中，轉印層140可更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等等。
    肋條結構150可形成於轉印層140上。於例示性實施例中，形成肋條結構150可包含形成相互間隔設定或預設距離之第一管體160及形成第二管體170。第二管體170可與第一管體160以流體連通。
    參閱第2圖及第3圖，第一管體160及第二管體170可利用具有設定或預設可加工性及設定或預設之彈性之材料形成，且第一管體160及第二管體170之部分可移除。亦即，複數個第一溝槽162(如第2圖所示)及複數個第二溝槽172(如第3圖所示)可分別形成於第一管體160及第二管體170上。第一溝槽162及第二溝槽172可分別形成於第一管體160及第二管體170上，以相互間隔設定或預設之距離。在此例中，第一溝槽162及第二溝槽172可具有實質上相互相等或相似之形狀。當第二管體170係位於第一管體160上，於第二管體170上之第二溝槽172可具有實質上小於第一管體160上之第一溝槽162之尺寸。然而，當第一管體160係位於第二管體170上，第一管體160上之第一溝槽162可具有實質上小於第二管體170上之第二溝槽172之尺寸。
    如第2圖所示，包含之之第一管體160可形成於轉印層140上且於第一方向延伸。在此例中，第一管體160可相互間隔實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度，或像素區域之水平寬度之整數倍相等之設定或預設之距離。於一些例示性實施例中，包含第二溝槽172之第二管體170可形成於轉印層140上且實質上相互平行。
    如第3圖所示，包含第二溝槽172之第二管體170可設置於第一管體160上。在此例中，第一管體160上之第一管體160上可與第二管體170上之第二溝槽172相配，使得第一管體160可與第二管體170以流體連通。第二管體170可連接至第一管體160。第二管體170於實質上正交於第一方向之第二方向延伸。舉例而言，包含第一管體160及第二管體170之肋條結構150可形成於轉印層140上以具有實質上之矩形或實質上之篩形。第二管體170可相互間隔實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之縱向寬度相等，或實質上與像素區域之縱向寬度之整數倍數相等之第二距離。第一管體160及第二管體170可利用接著劑固定於轉印層140上。第一管體160及第二管體170可利用接著劑相互固定。
    於一些例示性實施例中，第二管體170可設置於轉印層140上，且第一管體160可與第二管體170結合。於一些例示性實施例中，第一管體160及第二管體170可相互結合，且第一管體160及第二管體170可固定於轉印層140上。於一些例示性實施例中，第一管體160及第二管體170可實質上整體形成，且第一管體160及第二管體170可固定於轉印層140上。
    第一開口(第3圖未顯示)及第二開口(第3圖未顯示)可形成於第一管體160及第二管體170之上側部分或側邊部分。第一開口及第二開口可利用銳利終端部分之構件，例如針、鑽、刀形成。第一開口及第二開口可規律地間隔設定或預設之距離，或可不規律地間隔於第一管體160及第二管體170之上側部分及側邊部分。
    第4圖係為說明根據例示性實施例之形成有機層圖樣於顯示基板上之方法之方塊流程圖。
    參閱第4圖，於步驟S10中，可提供有機發光顯示裝置之顯示基板，且於步驟20中，準備施體基板以形成有機層圖樣於顯示裝置上。在此例中，開關裝置、絕緣層、像素電極及/或像素定義層可形成於顯示基板上。施體基板可具有實質上與參考第1圖所描述之施體基板100相等或相似之結構。
    於步驟S30中，施體基板之轉印層可相對於或面向顯示基板之像素區域排列，且施體基板可貼合至顯示基板上。施體基板之轉印層可藉由施體基板之肋條結構與顯示基板間隔設定或預設之距離。在此例中，肋條結構可具有實質上與參考第一圖所描述之肋條結構150相等或相似之結構。
    於步驟S40中雷射引發之熱成像製程可於施體基板執行以轉印施體基板之轉印層至顯示基板之像素區域上。因此，有機層圖樣可形成於顯示基板之像素區域上。
    於步驟S50中，施體基板可自顯示基板移除。透過施體基板之肋條結構，可提供空氣或惰性氣體於施體基板與顯示基板之間，使得施體基板可輕易地移除而不損害於顯示基板上之有機層圖樣。
    第5圖係為說明根據例示性實施例之製造有機發光顯示裝置之顯示基板之方法之剖視圖。
    參閱第5圖，根據例示性實施例之顯示基板200可包含基板210，於基板210上之開關裝置，電性連接至開關裝置之像素電極260等等。顯示基板200可包含閘極線(未顯示)及資料線(未顯示)，其可定義複數個像素區域。
    於有機發光顯示裝置之開關裝置之其一之形成中，閘極電極220可形成於基板210上，閘極絕緣層225可形成於基板210上以覆蓋閘極電極220。主動圖樣230可形成於閘極絕緣層225上，且可相互間隔之源極電極235及汲極電極237可形成於主動圖樣230上。保護層240可形成於閘極絕緣層225上以覆蓋源極電極235、汲極電極237及主動圖樣230。
    開關裝置之閘極電極220可接觸閘極線之一。閘極電極220可利用金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物等等形成。舉例而言，閘極電極220可利用鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鉭(Ta)、釕(Ru)、其合金、其氮化物、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵(GaOx)等等形成。上述原料可單獨使用或使用其組合。閘極絕緣層225可形成於基板210上以覆蓋閘極線及閘極電極220。閘極絕緣層225可沿著閘極電極220之輪廓保形地(conformally)形成。閘極絕緣層225可利用矽化合物、金屬氧化物等等形成。舉例而言，閘極絕緣層225可利用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、矽氧氮化物(SiOxNy)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鉭(TaOx)等等形成。上述原料可單獨使用或使用其組合。閘極絕緣層225可具有單層結構或包含矽化合物及/或金屬氧化物之多層結構。
    主動圖樣230可使用矽形成。舉例而言，主動圖樣230可使用多晶矽，摻雜雜質之多晶矽、非晶矽、摻雜雜質之非晶矽、部分晶矽、含微結晶矽等等形成。源極電極235可接觸資料線。源極電極235及汲極電極237可相鄰於閘極電極220形成，且可相互間隔設定或預設之距離。源極電極235及汲極電極237可利用金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物等等形成。舉例而言，源極電極235及汲極電極237可利用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鉬、鈦、鉑、銀、鉭、釕、其合金、其氮化物、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵等等形成。上述原料可單獨使用或使用其組合。
    保護層240可形成於閘極絕緣層225上以覆蓋源極235電極、汲極電極237及主動圖樣230。保護層240可沿著源極電極235、汲極電極237及主動圖樣230之輪廓保形地形成。保護層240可利用矽化合物形成。舉例而言，保護層240可利用氧化矽，氮化矽，氮氧化矽，氮碳化矽，矽氧碳化物等等形成。
    如第5圖所示，絕緣層250可形成於保護層240上。絕緣層250可利用透明有機材料形成。舉例而言，絕緣層250可利用丙烯酸樹脂基樹脂(acryl-based resin-based resin)、環氧樹脂基樹脂(epoxy-based resin-based resin)、苯酚樹脂基樹脂(phenol-based resin-based resin)、聚酰胺樹脂基樹脂(polyamide-based resin-based resin)、聚酰亞胺樹脂基樹脂(polyimide-based resin-based resin)、不飽和聚酯基樹脂基樹脂(unsaturated polyester-based resin-based resin)、聚苯樹脂基樹脂(polyphenylene-based resin-based resin)、聚苯硫醚樹脂基樹脂(olyphenylene sulfide-based resin-based resin)、苯并環丁烯(benzocyclobutene, BCB)等等形成。上述原料可單獨使用或使用其組合。絕緣層250可具有實質上的上側邊緣以形成有機發光顯示裝置上之元件。開口(例如，洞)可透過絕緣層250及保護層240形成以部分暴露開關裝置之汲極電極237。
    像素電極260可於顯示基板200之像素區域形成於絕緣層250上。像素電極260可形成於透過絕緣層250及保護層240形成之開口之較低部分及分隔壁上，使得像素電極260可電性連接至汲極電極237。像素電極260可利用具有設定或預設之反射性或實質上透明之金屬形成。舉例而言，當有機發光顯示裝置係為底部發射形態，像素電極260可利用透明導電性金屬，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵(GaOx)等等形成。上述原料可單獨使用或使用其組合。像素電極260可具有單層結構或包含透明導電性金屬之多層結構。或者，當有機發光顯示裝置為頂部發射形態，像素電極260可利用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鉬、鈦、鉑、銀、鉭、釕、其合金、其氮化物等等形成。在此例中，像素電極260可具有單層結構或包含金屬、合金及/或氮化物之多層結構。
    像素定義層270可形成於絕緣層250及於顯示基板200之像素區域之像素電極260上。像素定義層270可利用有機材料或無機材料形成。舉例而言，像素定義層270可利用有機材料，例如光抗蝕劑(photoresist)、聚丙烯基樹脂基樹脂(polyacryl-based resin-based resin)、聚酰亞胺基樹脂基樹脂(polyimide-based resin-based resin)及/或丙烯基樹脂基樹脂(acryl-based resin-based resin)或無機材料，例如矽化合物形成。像素定義層270可定義於像素區域內發光之區域為發光區域。
    參考第5圖所描述之顯示基板200中，開關裝置可包含具有底部閘極結構之薄膜電晶體，其中閘極電極220可設置於基板210上。然而，開關裝置之結構可不以此為限。舉例而言，開關裝置可具有頂部閘極結構，其中閘極電極可設置於半導體層下。或者，開關裝置可包含氧化半導體裝置，其包含含有半導體氧化物之主動層。
    第6圖至第8圖係為說明根據例示性實施例之製造有機層圖樣於顯示基板上之方法之剖視圖。於第6圖至第8圖所描述之方法中，形成有機發光顯示裝置之顯示基板之製程可實質上與參考第5圖所描述之形成顯示基板200之製程相同或相似。於第6圖至第8圖所描述之方法中，施體基板可具有實質上與參考第1圖所描述之施體基板100相同或相似之結構。
    第6圖係為說明貼合施體基板至顯示基板上之步驟之剖視圖。
    參閱第6圖，包含肋條結構150之施體基板可貼合至包含像素電極260及像素定義層270之顯示基板上，使得施體基板可接著至顯示基板。顯示基板可包含開關裝置、保護層240、絕緣層250及/或設置於基板210上之像素定義層270。施體基板可包含光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140及/或設置於基底基板110上之肋條結構150。
    於例示性實施例中，顯示基板可掛載於支撐裝置(未顯示)上，且施體基板可對齊顯示基板。在此例中，肋條結構150之第一管體及第二管體可不與顯示基板之像素區域重疊地排列。舉例而言，顯示基板之像素區域可實質上對應至由第一管體及第二管體之交錯所定義之轉印層140之區域。
    當排列施體基板於顯示基板上之後，加壓構件300可施加壓力於施體基板以貼合包含轉印層140、緩衝層130、光熱轉換層120及基底基板110之施體基板至像素電極260及顯示基板之像素定義層270上。在此例中，施體基板之肋條結構150可接著至顯示基板之像素定義層270，且施體基板之轉印層140可接著至像素電極260及顯示基板之像素定義層270。
    加壓構件300可包含滾筒、冠狀壓製機(crown press)等等。於一些實施例中，壓力可利用氣體而不利用加壓構件300施加於施體基板，使得包含轉印層140之施體基板可接著至包含像素電極260及顯示基板之像素定義層270之顯示基板。根據上述之貼合製程，施體基板可接著至顯示基板，且介於施體基板與顯示基板之間之氣泡可移除。
    第7圖係為說明照射雷射光束於施體基板上之步驟之剖視圖。
    參閱第7圖，箭號指示之雷射光束照射於可接著至顯示基板之施體基板之部分上。於例示性實施例中，雷射光束可照射於可設置之顯示基板之像素電極260之區域。於雷射光束照射之區域中，介於轉印層140與像素電極260之間之接著力可大於介於緩衝層130與轉印層140之間之接著力。因此，雷射光束照射之轉印層140之部分可自緩衝層130移除，且有機層圖樣142(參照第8圖)可由轉印層140形成於像素電極260上。於例示性實施例中，有機層圖樣142可利用雷射引發之熱成像製程形成於顯示基板上，使得具有相對高解析度之有機層圖樣142可由相對低之成本獲得，由於相對高解析度之雷射光束。
    於例示性實施例中，有機層圖樣142可於低於約10-2托(Torr)之壓力中自轉印層140形成。有機層圖樣142可形成於真空室中，使得於有機層圖樣142形成之期間，可預防顯示基板之像素電極260及有機層圖樣142之污染。因此，可改善包含有機層圖樣142之有機發光顯示裝置之生命週期。
    於一些例示性實施例中，轉印層140可形成於包含惰性氣體之氣體中。舉例而言，包含惰性氣體之氣體可包含惰性氣體及水蒸氣，或惰性氣體及氧氣(O2)。舉例而言，惰性氣體可包含氮氣(N2)及/或氬氣(Ar)，且包含惰性氣體之氣體中之水蒸氣之濃度可低於10ppm。或者，包含惰性氣體之氣體中之氧氣(O2)之濃度可低於50ppm。外部之氧氣及水蒸氣可輕易地與包含惰性氣體之氣體混合，使得藉由控制水蒸氣及氧氣之濃度可預防有機層圖樣142之污染。
    第8圖係為說明自顯示基板移除施體基板之步驟之剖視圖。
    如上所述，有機層圖樣142可自施體基板之轉印層140形成於顯示基板上，且施體基板可自顯示基板移除。
    於例示性實施例中，第一管體及第二管體之第一終端部分可封閉，且管嘴可連接至一及第二管體之第二終端部分。自管嘴中之氣體可釋放至顯示基板與施體基板之間。舉例而言，氣體可包含惰性氣體，例如氮氣、氬氣等等。透過第一管體及第二管體之第一開口及第二開口，可提供由管嘴供應至肋條結構150之氣體於顯示基板與施體基板之間。因此，施體基板可自顯示基板移除，施體基板與顯示基板之分隔可自與第一管體及第二管體之區域起始。
    於例示性實施例中，由顯示基板之中央部分，於相對大之區域中可提供具有相對低之噴吹壓力之氣體，使得施體基板可輕易地移除而不受損。因此，可預防或減少包含顯示基板之有機發光顯示裝置之像素故障。
    第9圖係為說明根據一些例示性實施例之施體基板102之透視圖。
    參閱第9圖，施體基板102可包含基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140、肋條結構152等等。基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130及轉印層140可具有實質上與參考第2圖所描述之基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130及轉印層140相等或相似之結構。
    肋條結構152可設置於轉印層140上。肋條結構152可包含第一管體160及至少一連接管體165。第一管體160可實質上相互平行地間隔設定或預設之距離。第一管體160之第一終端部分可連接至連接管體165。於一些例示性實施例中，第一管體160之第一終端部分及第二終端部分可同時連接至每一連接管體165。舉例而言，兩個連接管體165可設置於轉印層140上。
    於例示性實施例中，第一管體160可於第一方向或第二方向延伸於轉印層140上。第一管體160可間隔對應至有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度或縱向寬度之距離。舉例而言，第一管體160可間隔實質上與有機發光顯示裝置之像素區域之水平寬度或縱向寬度，或像素區域之水平寬度或縱向寬度之整數倍數相等之距離。第一管體160之第一終端部分及第二終端部分之兩者或其一可連接至連接管體165，且第一管體160可透過連接管體165相互以流體連通。連接管體165可於實質上正交於第一管體160之方向延伸。舉例而言，第一連通管體可連接至第一管體160之第一終端部分，且第二連通管體可連接至第一管體160之第二終端部分。
    第一管體160及連接管體165可具有多邊形切面。舉例而言，第一管體160及連接管體165可具有不同切面形狀，例如實質上之矩形、實質上之正方形及/或實質上之梯形。於一些例示性實施例中，第一管體160及連接管體165可具有圓切面。舉例而言，第一管體160及連接管體165可具有不同圓切面形狀，例如實質上之半圓形、實質上之半橢圓形及/或實質上朝上之圓頂形。更進一步地，連接管體165可具有實質上大於第一管體160之尺寸。舉例而言，連接管體165之寬度及/或高度可實質上大於第一管體160之寬度及/或高度。連接管體165可包含實質上與第一管體160相等或相似之材料。舉例而言，連接管體165可包含矽、聚氨酯、鋁等等。在此例中，連接管體165可與第一管體160整體形成。於一些例示性實施例中，第一管體160可與連接管體165結合以實質上相互正交。
    如第9圖所示，第一管體160可包含複數個第一開口180。舉例而言，第一開口180可形成於第一管體160之上側部分。第一開口180可規律地間隔設定或預設之距離，或可不規律地間隔。於一些例示性實施例中，第一開口180可形成於實質上與第1圖所示之第一管體160相似之第一管體160之側邊部分。
    如第9圖所示之施體基板102，肋條結構152可包含實質上相互平行之第一管體160。然而，肋條結構152之結構可不以此為限。舉例而言，肋條結構152可包含複數個實質上與第一管體160正交之第二管體。在此例中，連接管體165可連接至第一管體160或第二管體之第一終端部分。或者，第一連接管體及第二連接管體可分別連接至第一管體160及第二管體之第一終端部分。於一些例示性實施例中，四個連接管體可同時連接至第一管體160及第二管體之第一終端部分及第二終端部分。舉例而言，第一至第四連接管體可同時連接至第一管體160之第一終端部分及第二終端部分及第二管體之第一終端部分及第二終端部分。
    於例示性實施例中，施體基板102可包含具有複數個第一管體160之肋條結構152。在有機層圖樣利用雷射引發之熱成像製程形成於顯示基板上時，肋條結構152可設置於顯示基板與轉印層140之間。因此，當施體基板102自顯示基板移除，氣體可透過第一管體160於顯示基板與施體基板102之間釋放，使得施體基板102可輕易地自顯示基板移除而不損害設置於顯示基板上之有機層圖樣。
    第10圖係為說明根據一些例示性實施例之施體基板之透視圖。
    參閱第10圖，施體基板104可包含基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140、肋條結構154等等。基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140可具有實質上與參考第2圖所述之基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140相等或相似之結構。
    肋條結構154可包含複數個第一管體160及複數個第二管體170。於第10圖所示之肋條結構154中，第一管體160及第二管體170之尺寸、形狀及/或排列可實質上與參考第1圖所述之第一管體160及第二管體170相等或相似，因此省略其詳細說明。
    如第10圖所示，第一開口180可設置於第一管體160之至少其一之上側部分及側邊部分，且第二開口181可設置於第二管體170之至少其一之上側部分及側邊部分。舉例而言，第一開口180可於施體基板104之中央部分設置於第一管體160之中央部分上，且第二開口181可於施體基板104之中央部分設置於第二管體170之中央部分上。包含第一開口180之第一管體160可實質上與包含第二開口181之第二管體170正交。亦即，第一開口180及第二開口181可設置於肋條結構154之中央部分。於一些例示性實施例中，至少一連接管體可連接至第一管體160及/或第二管體170之終端部分。
    第11圖係為說明根據例示性實施例之施體基板之透視圖。
    參閱第11圖，施體基板106可包含基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140、肋條結構156等等。基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140可具有實質上與參考第2圖所述之基底基板110、光熱轉換層120、緩衝層130、轉印層140相等或相似之結構。
    如第11圖所示，肋條結構156可包含複數個第一管體160及複數個第二管體170。在此例中，第一管體160及第二管體170之尺寸、形狀及/或排列可實質上與參考第1圖所述之第一管體160及第二管體170相等或相似，因此省略其詳細說明。
    肋條結構156可更包含設置於第一管體160及/或第二管體170中之分隔壁190。儘管於第10圖中，分隔壁190可設置於第二管體170中，分隔壁190亦可設置於第一管體160中或同時於第一管體160及第二管體170中。在此例中，分隔壁190可透過第一管體160及第二管體170沿著第一方向或第二方向排列以免干擾氣體流動。因此，當施體基板106自具有相對大區域之顯示基板移除，由於分隔壁190，氣體之壓力可維持設定或預設之壓力。因此，有機層圖樣可形成於具有相對大區域之有機發光顯示裝置之顯示基板上而不受損。
    根據例示性實施例，當施體基板自顯示基板移除時，可使用包含具有複數個管體之肋條結構之施體基板。因此，施體基板可輕易地自顯示基板移除而不造成規律地形成於顯示基板上之有機層圖樣之損害。因此，可預防或減少包含顯示基板之有機發光顯示裝置之像素故障。有機發光顯示裝置可使用於不同之電子或電動裝置，例如電視、行動式通訊裝置、螢幕、MP3播放器或可攜式顯示裝置。
    前述所說明之例示性實施例不應理解為以此為限。儘管已描述一些實施例，同領域之相關技術者應了解的是，例示性實施例中可有許多實質上不脫離本發明之精神與態樣之修改。相應地，該些修改係應包含於例示性實施例及其等效物之範疇中。
    S10~S50．．．步驟流程
    100、102、104、106．．．施體基板
    110．．．基底基板
    120．．．光熱轉換層
    130．．．緩衝層
    140．．．轉印層
    142．．．有機層圖樣
    150、152、154、156．．．肋條結構
    160．．．第一管體
    162．．．第一溝槽
    165．．．連接管體
    170．．．第二管體
    172．．．第二溝槽
    180．．．第一開口
    181．．．第二開口
    190．．．分隔壁
    200．．．顯示基板
    210．．．基板
    220．．．閘極電極
    225．．．閘極絕緣層
    230．．．主動圖樣
    235．．．源極電極
    237．．．汲極電極
    240．．．保護層
    250．．．絕緣層
    260．．．像素電極
    270．．．像素定義層
    300．．．加壓構件
    由以下之說明連同所附之圖式，可更詳細地理解本發明之例示性實施例。第1圖係為說明根據例示性實施例之施體基板之透視圖；第2圖至第3圖係為說明根據例示性實施例之製造施體基板之方法之透視圖； 第4圖係為說明根據例示性實施例之形成有機層圖樣於顯示基板上之方法之方塊流程圖；第5圖係為說明根據例示性實施例之製造有機發光顯示裝置之顯示基板之方法之剖視圖；第6圖至第8圖係為說明根據例示性實施例之製造有機層圖樣於顯示基板上之方法之剖視圖；第9圖係為說明根據例示性實施例之施體基板之透視圖；第10圖係為說明根據一些例示性實施例之施體基板之透視圖；以及第11圖係為說明根據例示性實施例之施體基板之透視圖。
    100．．．施體基板
    110．．．基底基板
    120．．．光熱轉換層
    130．．．緩衝層
    140．．．轉印層
    150．．．肋條結構
    160．．．第一管體
    170．．．第二管體
    180．．．第一開口
    181．．．第二開口
    权利要求:
    Claims (25)
    [1] 一種施體基板，該施體基板包含：一基底基板；一光熱轉換層，係位於該基底基板上；一轉印層，係位於該光熱轉換層上；以及一肋條結構，係位於該轉印層上，該肋條結構包含相互間隔之複數個管體。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該複數個管體於該複數個管體之上側部分或側邊部分之至少其一上具有複數個開口。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之施體基板，其中該肋條結構更包含連接至該複數個管體之終端部分之至少一連接管體。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之施體基板，其中該至少一連接管體包含與該複數管體之材料相同之材料。
    [5] 如申請專利範圍第3項所述之施體基板，其中該至少一連接管體係與該複數管體整體形成。
    [6] 如申請專利範圍第3項所述之施體基板，其中該至少一連接管體包含一第一連接管體及一第二連接管體，該第一連接管體係連接至該複數管體之第一終端部分，且該第二連接管體係連接至該複數管體之第二終端部分。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該肋條結構包含複數個第一管體及複數個第二管體，該複數個第一管體於一第一方向延伸，該複數個第二管體於一第二方向延伸。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之施體基板，其中該複數個第一管體及該複數個第二管體係以矩陣形狀排列。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之施體基板，其中該複數個第一管體於該複數個第一管體之上側部分或側邊部分之至少其一上具有複數個第一開口，且該複數個第二管體於該複數個第二管體之上側部分或側邊部分之至少其一上具有複數個第二開口。
    [10] 如申請專利範圍第7項所述之施體基板，其中於該轉印層之一中央部份之該些第一管體之至少其一於該複數個第一管體之上側部分或側邊部分之至少其一上具有複數個第一開口，且該轉印層之該中央部份之該些第二管體之至少其一於該複數個第二管體之上側部分或側邊部分之至少其一上具有複數個第二開口。
    [11] 如申請專利範圍第7項所述之施體基板，其中該肋條結構更包含於該複數個第一管體或該複數個第二管體之至少其一中之分隔壁。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該複數個管體包含矽、聚氨酯或鋁。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之施體基板，其中該複數個管體之高度與寬度之比率係於約1.0：0.5至約1.0：1.0之間。
    [14] 一種製造施體基板之方法，該方法包含以下步驟：形成一光熱轉換層於一基底基板上；形成一轉印層於該光熱轉換層上；以及形成一肋條結構於該轉印層上，該肋條結構包含相互間隔之複數個管體。
    [15] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含形成複數個開口於該複數個管體之上側部分或側邊部分之至少其一。
    [16] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含形成連接至該複數個管體之終端部分之至少一連接管體。
    [17] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含以下步驟：形成一第一溝槽於該複數個管體之複數個第一管體上；形成一第二溝槽於該複數個管體之複數個第二管體上；以及藉由對準該第一溝槽與該第二溝槽以組合該複數個第一管體與該複數個第二管體。
    [18] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含以下步驟：沿著一第一方向排列該複數個管體之複數個第一管體於該轉印層上；以及沿著一第二方向排列該複數個管體之複數個第二管體於該轉印層上，該複數個第二管體與該複數個第一管體交錯。
    [19] 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含形成分隔壁於該複數個管體之第一管體或第二管體之至少其一中。
    [20] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含以下步驟：形成一肋條結構於一基底基板上以製造一施體基板，該肋條結構包含複數個管體，該基底基板包含一光熱轉換層及一轉印層；貼合該施體基板至一顯示基板上；照射雷射光束於該施體基板上，使自該轉印層形成一有機層圖樣於該顯示基板上；以及透過該肋條結構將介於該顯示基板與該施體基板之間之氣體排出，以自該顯示基板移除該施體基板。
    [21] 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中形成該肋條結構包含以下步驟：排列該複數個管體於該轉印層上，該複數個管體係相互間隔；以及形成複數個開口於該複數個管體之上側部分或側邊部分之至少其一。
    [22] 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該複數個管體係以一距離相互間隔，該距離約與該顯示基板之一像素區域之寬度之整數倍數相等。
    [23] 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中形成該肋條結構更包含形成連接至該複數個管體之終端部分之至少一連接管體。
    [24] 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中形成該肋條結構包含以下步驟：排列複數個第一管體於該轉印層上，該複數個第一管體係相互間隔一第一距離；以及排列複數個第二管體於該轉印層上，該複數個第二管體係相互間隔一第二距離。
    [25] 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一距離係約與該顯示基板之一像素區域之一水平寬度或一垂直寬度之至少其一之整數倍數相等，且該第二距離係約與該顯示基板之該像素區域之該水平寬度或該垂直寬度之至少其一之整數倍數相等。
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